Pesquisadores chineses criam mecanismo para dispositivos de memória de alta velocidade

Novidade terá papel fundamental na inovação eletrônica moderna

Pesquisadores chineses descobriram um novo mecanismo para desenvolver dispositivos de memória não volátil com velocidade ultra alta, informou o Instituto de Física da Academia Chinesa de Ciências (CAS) na terça-feira.

O desenvolvimento de dispositivos de memória de alto desempenho tem papel fundamental na inovação eletrônica moderna, por causa da alta capacidade e confiabilidade mecânica.

Esses dispositivos podem realizar operações de leitura e gravação na faixa de 20 nanossegundos e manter os dados por pelo menos dez anos. Os dispositivos de memória flash comerciais atuais leem e gravam dados na faixa de 100 mil nanossegundos.

A pesquisa, financiada pela Fundação Nacional de Ciência Natural da China, Ministério da Ciência e Tecnologia e CAS, foi publicada online na revista Nature Nanotechnology na segunda-feira.

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